MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种利用电压控制导电沟道宽度的半导体器件。它由一个金属栅极、一个绝缘的氧化层和一个半导体衬底组成。当栅极加上正向电压时,会在衬底和氧化层之间形成一个导电沟道,使得漏极和源极之间的电流可以通过。当栅极加上反向电压时,沟道会关闭,电流无法通过。MOS管的工作原理是利用栅极电压来控制沟道电阻,从而控制电流的大小。

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种利用电压控制导电沟道宽度的半导体器件。它由一个金属栅极、一个绝缘的氧化层和一个半导体衬底组成。当栅极加上正向电压时,会在衬底和氧化层之间形成一个导电沟道,使得漏极和源极之间的电流可以通过。当栅极加上反向电压时,沟道会关闭,电流无法通过。MOS管的工作原理是利用栅极电压来控制沟道电阻,从而控制电流的大小。

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