STP75NF75晶体振荡器

FET类型:MOSFET N沟道,金属氧化物FET特性:标准导通状态Rds(最大值)@ Id,Vgs @ 25°C:4毫安@ 40A,10V漏极 - 源极电压(Vdss):75V电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C:80A Id Vgs(th)(最大值):4V @250μA栅极电荷(Qg)@Vgs:160nC @ 10V Vds时输入电容(Ciss):3700pF @ 25V电源 - 最大值:300W安装类型:通孔封装/箱体:TO-220-3(直引线)包装:配件其他名称:497-2788-5

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TOLL封装是一种具有小体积、低封装电阻和低寄生电感的封装形式,常用于MOSFET。TOLL封装的优点包括小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点,使得它非常适合用于大功率、大电流、高可靠性等应用场景。
TOLL封装的MOSFET产品已经广泛应用于电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户。例如,维安TOLL封装的功率MOSFET产品系列最大电流可达300A以上,主要应用于类似动力BMS、逆变储能、低速电动车、电动工具、无人机电调、潜航器电机等大电流应用场景。
TOLL封装还具有更高的效率和更低的系统成本、更少的并联数量和冷却需求、更优秀的EMI性能等优势。
TOLL封装是一种具有广泛应用前景的MOSFET封装形式,适用于大功率、大电流、高可靠性等应用场景。

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