STP75NF75晶体振荡器
FET类型：MOSFET N沟道，金属氧化物FET特性：标准导通状态Rds（最大值）@ Id，Vgs @ 25°C：4毫安@ 40A，10V漏极 - 源极电压（Vdss）：75V电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C：80A Id Vgs（th）（最大值）：4V @250μA栅极电荷（Qg）@Vgs：160nC @ 10V Vds时输入电容（Ciss）：3700pF @ 25V电源 - 最大值：300W安装类型：通孔封装/箱体：TO-220-3（直引线）包装：配件其他名称：497-2788-5
