氧化物半导体

氧化物半导体是由金属和氧形成的化合物半导体材料。与元素半导体材料相比，它主要是离子晶体，带隙通常较大，迁移率小，化学性质复杂，并且由于化学计量比的轻微偏差，在晶体中引起施主和受主。
主，这个化学计量偏差对大气和温度敏感。氧化物半导体材料的平衡组成由于氧气压力的变化而改变，这决定了导电类型。
由于金属和氧之间的电负性差异很大，化学键离子成分很强，并且比共价键更容易破坏这种离子键，因此它含有大量的点缺陷，因此化学计量比偏离材料。电气特性也受到很大影响。
如果化学计量比偏离氧缺乏（或当金属过量时），则氧化物半导体材料呈现n型。此时，氧空位或间隙金属离子形成供体能级以提供电子，半导体材料属于ZnO。
，CdO，TiO2，Al2O3，SnO：等。例如，当ZnO的化学计量比偏离氧缺乏时：相反，它是p型半导体。
此时，金属空位将形成能量水平以提供空穴。对于这种半导体材料，有：C u2O，NiO，CoO，FeO，Cr2O3。
等待。例如，当Ni（）的化学计量比偏离多氧时：可以看出氧化物半导体材料的导电类型由周围大气（氧化气体或还原气体）显着改变，并且使用氧化物半导体材料使用这个属性。
制备气敏半导体器件。 1.高透明度2.大带隙3.高载流子迁移率4.不太典型的不均匀性5.降低材料和工艺成本6.低工艺温度7.涂层工艺氧化物半导体的广泛应用在超高清液晶显示器中，有机EL显示器，电子纸，柔性显示器，柔性IC，透明显示器，透明IC，透明太阳能电池，透明LED等产品。
非单晶氧化物可以通过在升高的温度下直接氧化纯金属或通过低温化学反应如金属氯化物和水复分解来制备。氧化物单晶通过火焰熔融法，熔融生长法和气相反应生长法制备。
氧化物半导体znO，CdO，SnO2等常用于制造气体传感器，Fe2O3，Cr2O3，Al2O3等常用于制造湿度传感器; SnO2膜用于制造透明电极。作为“新一代电子材料的基本材料”，全球显示技术人员的注意力是氧化物半导体TFT。
氧化物半导体TFT是用于驱动新一代显示器的TFT材料的最佳候选者之一，例如超高清液晶面板，有机EL面板和电子纸。预计早在2012 - 2013年就投入实际使用，它可能成为实现具有“灵活性”的电子元件的手段。
和“透明度”在将来。当进一步扩展氧化物半导体的使用时遇到的问题是如何实现p型半导体。
如果可以实现高质量的pn结，则有望应用于柔性和透明的集成电路，LED和太阳能电池。