1Msps吞吐量±1.75LSB INL（最大值）18位无丢失代码低功率：1ksps时102分贝FIN，2kHz时124dB THD（典型值），FIN = 2kHz时数字增益压缩（DGC），保证工作125°C 2.5 SNR （典型值）V输入全差分输入范围±VREF VREF输入范围5.1V无流水线延迟，无周期延迟至5V I / O电压SPI兼容串行I / O和菊花链模式内部转换时钟16引脚MSOP x 3mm DFN包装。
工作温度范围为125°C至150°C的存储温度范围.LTC2378-18适用于各种高速应用，具有快速吞吐量和1Msps的无周期延迟。
内部振荡器设置转换时间，从而减轻外部时序考虑因素。
LTC2378-18可在断电之间自动切换，从而降低功耗和采样率。
LTC2378-18仅消耗13.5 MW并达到±1.75 LSB INL（最大值），信噪比为102 dB，18位而不会丢失代码。
高速18位逐次逼近寄存器（SAR）ADC。
LTC2378-18采用2.5V电源供电，具有±VREF全差分输入范围，5.1V VREF.1Msps吞吐量，快速且无周期延迟使LTC2378-18成为各种高速应用的理想选择。
内部振荡器设置转换时间，从而减轻外部时序考虑因素。
TOLL封装是一种具有小体积、低封装电阻和低寄生电感的封装形式，常用于MOSFET。TOLL封装的优点包括小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，使得它非常适合用于大功率、大电流、高可靠性等应用场景。
TOLL封装的MOSFET产品已经广泛应用于电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户。例如，维安TOLL封装的功率MOSFET产品系列最大电流可达300A以上，主要应用于类似动力BMS、逆变储能、低速电动车、电动工具、无人机电调、潜航器电机等大电流应用场景。
TOLL封装还具有更高的效率和更低的系统成本、更少的并联数量和冷却需求、更优秀的EMI性能等优势。
TOLL封装是一种具有广泛应用前景的MOSFET封装形式，适用于大功率、大电流、高可靠性等应用场景。
